电子元器件学习-三极管总结

1.先看看三极管笔记：

三极管状态判断(电压角度、电流角度)如何设计基极限流电阻阻值使得三极管不进入放大区：P型和N型–一般Rb限流电阻越小，则饱和状态越深度，这个值选取可以看你整个设计的电阻那个阻值最多，比如你又很多10K的电阻，恰巧我们计算的Rb阻值<26K,则我们可以让Rb-10k；P型三极管开关设计注意事项–P为电源开关，N为接地开关；最好不要反着来；让集电极作为输出端/负载端，不要让负载在be回路中；三极管的输出反相/正相能力(就是P和N串联)

这个电路用得非常多，有两个功能。

一是信号反相，就是输入高电平，输出就是低电平；输入低电平，输出就是高电平

二是改变输出信号的电压，比如输入的电压范围是0V或者是3.3V，想要得到一个输出是0V或者是5V的电平怎么办呢？让Vcc接5V就可以了，输出高的时候，out的电平就是大约为5V的。

三极管N型基极下拉电阻/P型基极上拉电阻：由于基极的阻抗极高，那有可能来自空气、人体接触、电路中的电荷来到基极，电荷没有泄放路径，会长时间保留在那里(电阻是阻碍电流运动的)；电荷长时间聚集在基极，会导致基极的电压被抬升，如果中国电压超过了0.3~0.7V，三极管可能会误导通；而加入下拉电阻电路后，会为它们提供一条较低阻抗的泄放通道，电荷对基极电压的干扰减小；(这种噪声很小，下拉电阻电路就够了)PNP同理；

第一个作用：避免刚刚上电时，产生高阻态，造成误动作

第二个作用：提高导通阈值，提高抗干扰能力

第三个作用：给结电容提供放电回路，也可以加速三极管的断开

三极管临界饱和状态：
其实，三极管CE极电压等于0.7V(就是CE的饱和电压，具体看数据手册)的时候，三极管处于临界饱和状态，临界饱和状态就是指:此时可以算是放大状态，依然满足Ic=β*Ib，但是CE极电压再降低的话就是饱和状态了，也就是说，饱和状态下，三极管CE极电压范围是0.3V-0.7V。饱和状态下，三极管CE极电压最低是0.3V，CE极电压<0.7V的时候，Ic<β*Ib，CE极电压等于0.7V的时候，依然满足Ic=β*Ib；
 

2.三极管应用：电子开关-图腾柱电路/推挽电路：增强电路的电压、电流驱动能力；以及尚的基础里各个应用的三极管型号推荐

MOS管高速驱动 三极管推挽电路，实现高速稳定驱动MOS管的电路方法_哔哩哔哩_bilibili

（开始一定是高电平驱动，否则下面那个三极管没用）

推挽电路驱动mos_哔哩哔哩_bilibili（写出了推挽电路驱动MOS的两个作用，1是放大单片机的方波信号，使之能直接驱动MOS管；2是在MOS管关断时，Q2会为MOS管结电容放电提供又一个泄放通道）

实际上，用于驱动功率MOS管的通常都是图腾柱，就是上下都是NPN/NMOS管，电路会复杂一些，没有电压跟随，从器件工艺上来说性能也会更强；

3.计算判断三极管是放大还是饱和状态；对三极管电子开关电路的详细设计教程；（上面那个也许，但有一个问题，三极管放大系数是不稳定的，这个要好好考虑；而下面这个相当于把你的ib、ic全都固定好大小了，你这个电路所有参数就照着他算，我没试过）

Ib电流设计为多大合适-1mA，

不能让Ib电流几十mA甚至百mA，否则功耗太大了,一个硬件电路中，有很多回路，在每个地方都浪费不必要的功耗，太得不偿失了；

也不能让Ib是更小的uA，因为三极管作为电子开关，不停开关，会导致电路不断变化，变化的电流产生磁场，而磁场会产生感应电动势阻碍电流变化，Ib太小，很可能就抵消了；

加上下拉电阻原因及设计-防止三极管误导通，2K 是一个很适合的阻值。所以，三极管上拉和下拉以后我们都取 2K；Ic电流设计-1mA，可以通过设置集电极限流电阻达成，那么此时三极管肯定是饱和状态，但感觉这样设置，三极管的电流放大功能就没了，还是要实践一遍才行；

电子元器件-三极管终篇中：对三极管各状态参数详解、饱和状态参数设定、开关电路设计及注意事项-CSDN博客

常用三极管入门级电路设计（如何选型和搭电路？）_三极管电路设计-CSDN博客

（上文有两个基极、集电极限流电阻的详细设计过程；上面两个链接才是三极管电子开关的精华所在）

三级管几乎不会用做放大使用，因为运放电路更稳定，更好；而作为电子开关，一般也只应用在小电流场景下，MOS管比他更好，就是贵了一点点；

三极管参数选型：

集电极-基极的电压/集电极-发射极的电压/发射极-基极的电压：不要超过对应电压；集电极最大电流(一般在极限参数介绍里)：也就是限制Ib、Ic的大小，Ic最大值/放大系数就是Ib的最大值；直流电源增益(三极管的放大倍数)：放大系数值会随着集电极电流 、温度和环境的变化而略有变化；数据手册通常会提供一个范围（例如 β = 100 ~ 500）；感觉 β没必要，反正我们只做电子开关；集电极-发射极饱和电压：一般会给一个最大值，我们要让Vce最小，才能让三极管进入深度饱和状态；没遇到过，感觉除非要求电压精度的电流会设计三极管深度饱和；否则我们只要设计ib、ic和基极、集电极的限流电阻，让三极管进入号和状态就行了基极-发射极的饱和/导通电压：一定要去看数据手册，一般不是我们想当然的0.7V压降；

【在分析三极管时，be回路和ce回路是互不干扰的】

三极管数据手册：电子元器件-三极管终篇上：数据手册分析，好文分享_三极管数据手册-CSDN博客

最后，永远记住电路的构成：源、回路、阻抗，少一个都不行；不要搞一个光秃秃的电线；

Ube减小，会导致Ib减小？